STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 298,89

(ohne MwSt.)

€ 358,68

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 9,963€ 298,89

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
212-2091
Herst. Teile-Nr.:
SCT1000N170
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT1000N170

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.66Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

4.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

15.75mm

Breite

20.15 mm

Höhe

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

SiC MOSFET


Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.

Hohe Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Verwandte Links