onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 14,23
(ohne MwSt.)
€ 17,08
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 993 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | € 14,23 |
| 10 - 99 | € 12,82 |
| 100 + | € 11,82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Länge | 9.9mm | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Länge 9.9mm | ||
Breite 10.38 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.
H PSOF8L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
Verwandte Links
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1700 V / 45 A 333 W, 4-Pin TO-247-4L
- onsemi NTB Typ N-Kanal 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STW65N Typ N-Kanal 3-Pin TO-247-4
- onsemi FCP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
