onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | EliteSiC | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie EliteSiC | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.
H PSOF8L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
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