onsemi EliteSiC N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 11,57

(ohne MwSt.)

€ 13,88

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 990 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 11,57
10 - 99€ 10,41
100 +€ 9,61

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
333-415
Herst. Teile-Nr.:
NTBL023N065M3S
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

EliteSiC

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free

Länge

9.9mm

Breite

10.38mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.