onsemi NTB N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 254-7667
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 254-7667
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | NTB | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie NTB | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Kein umgekehrter Erholstrom der Gehäusediode, extrem niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität