onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L

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RS Best.-Nr.:
254-7666
Herst. Teile-Nr.:
NTBL045N065SC1
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

NTB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL


Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Kein umgekehrter Erholstrom der Gehäusediode, extrem niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität

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