onsemi NTB N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 254-7666
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|---|
| 2000 - 2000 | € 6,419 | € 12.838,00 |
| 4000 - 4000 | € 6,255 | € 12.510,00 |
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | NTB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie NTB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Kein umgekehrter Erholstrom der Gehäusediode, extrem niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität