onsemi NTBL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-562
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.38mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 9.9mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.38mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 9.9mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform
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