STMicroelectronics STI28 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin I2PAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 94,10

(ohne MwSt.)

€ 112,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 1,882€ 94,10
100 - 200€ 1,833€ 91,65
250 - 450€ 1,786€ 89,30
500 +€ 1,741€ 87,05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
164-6960
Herst. Teile-Nr.:
STI28N60M2
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STI28

Gehäusegröße

I2PAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.6 mm

Höhe

9.3mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Dank des Leistenlayouts und der verbesserten senkrechten Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf. Dadurch sind sie für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet.

Sehr geringe Gate-LadungProfil mit ausgezeichneter Ausgangskapazität (COSS)100%ig auf Stoßentladung geprüftZenerdioden-geschütztQg sehr niedrig für erhöhte EffizienzOptimierte Gate-Ladung und Kapazitätsprofile für Resonanzstromversorgung (LLC-Wandler)

Verwandte Links