STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin I2PAK

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RS Best.-Nr.:
760-9629
Herst. Teile-Nr.:
STI26NM60N
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

I2PAK

Serie

MDmesh

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

165 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

10.75mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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