Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 500 W, 8-Pin Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7367
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Pinanzahl

8

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.75V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

62.4mm

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

UL (E83335), RoHS

Breite

56.7 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons IGBT-Modul verfügt über 1200 V VCES, 75 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom, 3-Level-Phasenschenkel-IGBT-Modul mit aktiver Neutral Point Clamp 2, NTC, Hochgeschwindigkeits-IGBT H3 und Press FIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul eignet sich für 3-Ebenen-Anwendungen.

RoHS-konform

Hochgeschwindigkeits-IGBT H3

Geringe Schaltverluste

Geeignet für Solaranwendungen

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