Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 500 W Modul

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RS Best.-Nr.:
273-7367
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

500 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Infineons IGBT-Modul verfügt über 1200 V VCES, 75 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom, 3-Level-Phasenschenkel-IGBT-Modul mit aktiver Neutral Point Clamp 2, NTC, Hochgeschwindigkeits-IGBT H3 und Press FIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul eignet sich für 3-Ebenen-Anwendungen.

RoHS-konform
Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Geringe Schaltverluste
Geeignet für Solaranwendungen

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