Infineon IGBT-Modul / 200 A, 1200 V 680 W Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7404
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12PT4BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61140, ULapproved(E83335), EN61140

Länge

130mm

Höhe

20.5mm

Breite

87 mm

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon hat VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten. Dieses GBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 150 A. Dieses IGBT-Modul wird für Hochleistungsumrichter, Motorantriebe und USV-Anlagen verwendet.

Niedriger VCEsat

Standardgehäuse

Isolierte Grundplatte

Geringe Schaltverluste

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