Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 69 A +/-20V max., 1200 V 335 W Modul

RS Best.-Nr.:: 273-7360
Herst. Teile-Nr.:: DDB6U75N16W1RBOMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 69 A +/-20V max., 1200 V 335 W Modul

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RS Best.-Nr.:: 273-7360
Herst. Teile-Nr.:: DDB6U75N16W1RBOMA1
Hersteller:: Infineon

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	69 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	335 W
	Gehäusegröße	Modul
	Montage-Typ	Tafelmontage

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 69 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Verlustleistung max. 335 W
	Gehäusegröße Modul
	Montage-Typ Tafelmontage

Datasheet - DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineons Diodenbrückenmodule mit Brems-Chopper und NTC für ein kompakteres Wandlerdesign. Das Produkt hat eine wiederholbare Spitzensperrspannung von 1600 V und einen maximalen RMS-Vorwärtsstrom von 65 A pro Chip.

Wärmewiderstand
Interne Isolierung aus Al2O3
Gesamtverlustleistung 335 W
15 A kontinuierlicher DC-Durchlassstrom

Infineon IGBT-Modul / 69 A +/-20V max., 1200 V 335 W Modul

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