Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 500 W Modul
- RS Best.-Nr.:
- 273-7366
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7366
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- F3L150R12W2H3B11BPSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Infineons IGBT-Modul verfügt über 1200 V VCES, 75 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom, 3-Level-Phasenschenkel-IGBT-Modul mit aktiver Neutral Point Clamp 2, NTC, Hochgeschwindigkeits-IGBT H3 und Press FIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul eignet sich für 3-Ebenen-Anwendungen.
RoHS-konform
Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Geringe Schaltverluste
Geeignet für Solaranwendungen
Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Geringe Schaltverluste
Geeignet für Solaranwendungen
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