Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 280 W Modul

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RS Best.-Nr.:
273-7403
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12KT3BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

280 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 50 A. Es verfügt über eine Grundplatte aus Kupfer für eine optimierte Wärmeverteilung und eine Modulkonstruktion mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3 und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste
Kompaktes Modulkonzept

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