Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5835
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12KE3BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- FP50R12KE3BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Verlustleistung max. | 280 W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Verlustleistung max. 280 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2,30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2,30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
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