Infineon IGBT-Modul / 650 A, 150 V 335 W, 8-Pin Modul Panel

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 71,23

(ohne MwSt.)

€ 85,48

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 71,23
5 - 9€ 69,80
10 - 99€ 64,75
100 - 249€ 59,36
250 +€ 54,80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7365
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

650A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

150V

Maximale Verlustleistung Pd

335W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Pinanzahl

8

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

UL (E83335)

Höhe

16.4mm

Breite

56.7 mm

Länge

62.4mm

Automobilstandard

Nein

Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 150 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.

Niedriger VCEsat

Kompakte Bauweise

Robuste Montage

Niedrige induktive Bauweise

Niedrige Schaltverluste

Verwandte Links