Infineon IGBT-Modul / 650 A, 150 V 335 W, 8-Pin Modul Panel

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 15 Stück)*

€ 734,70

(ohne MwSt.)

€ 881,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 15 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
15 - 90€ 48,98€ 734,70
105 +€ 44,899€ 673,49

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7364
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

650A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

150V

Maximale Verlustleistung Pd

335W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Pinanzahl

8

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

56.7 mm

Länge

62.4mm

Normen/Zulassungen

UL (E83335)

Höhe

16.4mm

Automobilstandard

Nein

Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 150 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.

Niedriger VCEsat

Kompakte Bauweise

Robuste Montage

Niedrige induktive Bauweise

Niedrige Schaltverluste

Verwandte Links