Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
273-5234
Herst. Teile-Nr.:
BSC018NE2LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

153 A

Kollektor-Emitter-Spannung

25 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

2,5 W

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

8

Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Überlegene Wärmebeständigkeit
100 % Lawinengeprüft

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