Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-5234
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC018NE2LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-5234
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- BSC018NE2LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 153 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 25 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 153 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 25 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 8 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Überlegene Wärmebeständigkeit
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Überlegene Wärmebeständigkeit
100 % Lawinengeprüft
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