Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 164 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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RS Best.-Nr.:
349-141
Herst. Teile-Nr.:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

164A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ISC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

217W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der speziell für Hot-Swap-, Batterieschutz- und E-Fuse-Anwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste minimiert und die Effizienz erhöht werden. Der MOSFET bietet außerdem einen großen sicheren Betriebsbereich (SOA), der eine zuverlässige Leistung unter einer Vielzahl von Betriebsbedingungen gewährleistet. Diese Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für Anwendungen, die ein robustes, effizientes und zuverlässiges Energiemanagement erfordern.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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