Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-145
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-145
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | N-Kanal MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ N-Kanal MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden. Der Transistor bietet ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das die Schaltleistung verbessert. Durch die sehr niedrige Umkehrerholungsladung (Qrr) werden Schaltverluste minimiert, was ihn ideal für schnell schaltende Anwendungen macht. Außerdem verfügt er über einen hohen Avalanche-Energiewert, der Robustheit unter transienten Bedingungen gewährleistet. Darüber hinaus arbeitet der MOSFET bei einer Temperatur von 175°C und bietet eine hohe thermische Belastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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