Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
349-149
Herst. Teile-Nr.:
ISC151N20NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8 FL

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungstransistor der ISC-Serie von Infineon, 200 W maximale Verlustleistung, 200 V maximale Drain-Source-Spannung – ISC151N20NM6ATMA1


Dieser Leistungstransistor ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Schalt- und thermische Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen vorgesehen. Er bietet eine niedrige Durchlassspannung und ein kompaktes PG-TDSON-8 FL-Gehäuse für platzbeschränkte Baugruppen.

Merkmale und Vorteile:


• Die Nennleistung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 74 A Dauerstrom für die Handhabung hoher Lasten
• 15,1 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 200 W Verlustleistung unterstützt erhöhte thermische Belastungen
• 31 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltsteuerung
• Der Bereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für den Betrieb bei extremen Temperaturen

Anwendungsbereiche


• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Leistungsstufen
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben und Wechselrichtern
• Wird mit Hochstrom-Stromverteilermodulen verwendet
• Kann für Server-Stromversorgungs-Transistoren verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltreglerkonstruktionen

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?


Er wird in einem oberflächenmontierten PG-TDSON-8 FL-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten an Leiterplattenmontagen vorgesehen ist.

Welcher Spannungsbelastung kann das Gerät in Schaltumgebungen standhalten?


Das Gerät ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 200 V während des Betriebs ausgelegt.

Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf die Auswahl der Steuerung aus?


Die maximale Gate-Source-Toleranz beträgt 20 V und die typische Gate-Ladung bei Vgs beträgt 31 nC, was die Anforderungen an Treiberstrom und Timing bestimmt.

Welche thermischen Überlegungen werden für den Einsatz mit hoher Leistung empfohlen?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 200 W sind eine angemessene Wärmeminderung und Wärmeableitungsmaßnahmen auf der Leiterplatte erforderlich, um die Sperrschichttemperatur zu steuern.

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