Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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| 20 - 198 | € 4,435 | € 8,87 |
| 200 - 998 | € 4,085 | € 8,17 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der zur Minimierung der Leitungsverluste und zur Verbesserung der Systemeffizienz beiträgt. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet dieser Transistor ein optimiertes Schaltverhalten. Außerdem bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), wodurch Schaltverluste reduziert und die Gesamteffizienz in schnell schaltenden Schaltungen verbessert werden. Er ist für den Betrieb bei einer Temperatur von 175°C ausgelegt und bietet hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und eine hervorragende thermische Leistung für einen robusten Betrieb.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
100 % Avalanche-getestet
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