Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche OptiMOST Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 63 A 30 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-3040
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC045N03L5SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3040
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC045N03L5SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | OptiMOST Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Durchlassspannung Vf | 890mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ OptiMOST Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Durchlassspannung Vf 890mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Niederspannungs-Leistungs-MOSFET von Infineon bietet eine breite Zugänglichkeit und ein wettbewerbsfähiges Preis/Leistungs-Verhältnis.
Ermöglicht kostengünstige Lösungen
Schneller Versand
Einfach zu entwerfen
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