Infineon IGBT / 153 A, 25 V 2.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
273-5233
Herst. Teile-Nr.:
BSC018NE2LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

153A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

25V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

8

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.51mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21

Länge

5.1mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Sehr geringer Einschaltwiderstand

Überlegene Wärmebeständigkeit

100 % Lawinengeprüft

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