Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 18 A 29 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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RS Best.-Nr.:
258-7030
Herst. Teile-Nr.:
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS-TM3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung von 30 Prozent sowohl bei Rds on als auch bei FOM.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste RDS im eingeschalteten Zustand

RoHS-konform, halogenfrei

MSL1-Schutzart 2

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