Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 63 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4634
Herst. Teile-Nr.:
BSZ150N10LS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS-TM3

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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