Infineon MOSFET / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 273-5239
Herst. Teile-Nr.:: BSC16DN25NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon MOSFET / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal Durchsteckmontage

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Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	10.9A
	Anzahl an Transistoren	1
	Maximale Verlustleistung Pd	62.5W
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8
	Konfiguration	Einfach
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	N
	Pinanzahl	8
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.1mm
	Höhe	1.15mm
	Breite	6.1mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10.9A
	Anzahl an Transistoren 1
	Maximale Verlustleistung Pd 62.5W
	Gehäusegröße PG-TDSON-8
	Konfiguration Einfach
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp N
	Pinanzahl 8
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.1mm
	Höhe 1.15mm
	Breite 6.1mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon MOSFET, 62,5 W maximale Verlustleistung, 10,9 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – BSC16DN25NS3GATMA1

Dieser Einzel-N-Kanal-Transistor ist ein Durchsteck-Leistungs-MOSFET, der für hohe Temperatur- und Strombelastbarkeit in industriellen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert, das für Leiterplatten geeignet ist, die ein robustes, diskretes Schaltgerät benötigen. Die Komponente ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen Dauerstrom und Verlustleistung im Vordergrund stehen.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Verlustleistung von 62,5 W sorgt für dauerhafte hohe Belastbarkeit
• 10,9 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt Hochstromschaltung
• N-Kanal-Kanaltyp ermöglicht Low-Side-Schaltkonfigurationen
• Die Durchsteckmontage vereinfacht die manuelle Montage und das Prototyping
• Die Einhaltung der Norm IEC 61249-2-21 unterstützt die Material- und Konstruktionskonsistenz

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Leistungssteuerungsmodule, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Ideal für Motor-Treiber-Schaltkreise, die einen dauerhaften Dauerstrom benötigen
• Wird für das Prototyping mit Durchsteckmontageverfahren verwendet
• Kann für die Prüfung thermischer Belastungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden

In welchem Temperaturbereich kann dieses Gerät betrieben werden?

Er funktioniert über ein Betriebsfenster von -55 °C bis 150 °C.

Wie viele Stifte und welches Gehäuse wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert.

Ist diese Komponente für Multi-Transistor-Baugruppen geeignet?

Es handelt sich um ein Ein-Transistor-Gerät, das für die diskrete Platzierung in Schaltkreisen vorgesehen ist.

Welche Zulassungen beziehen sich auf Material- oder Konstruktionsstandards?

Er erfüllt die Norm IEC 61249-2-21.