Infineon MOSFET / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal Durchsteckmontage

Dieser Einzel-N-Kanal-Transistor ist ein Durchsteck-Leistungs-MOSFET, der für hohe Temperatur- und Strombelastbarkeit in industriellen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert, das für Leiterplatten geeignet ist, die ein robustes, diskretes Schaltgerät benötigen. Die Komponente ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen Dauerstrom und Verlustleistung im Vordergrund stehen.

• Maximale Verlustleistung von 62,5 W sorgt für dauerhafte hohe Belastbarkeit
• 10,9 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt Hochstromschaltung
• N-Kanal-Kanaltyp ermöglicht Low-Side-Schaltkonfigurationen
• Die Durchsteckmontage vereinfacht die manuelle Montage und das Prototyping
• Die Einhaltung der Norm IEC 61249-2-21 unterstützt die Material- und Konstruktionskonsistenz

• Geeignet für industrielle Leistungssteuerungsmodule, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Ideal für Motor-Treiber-Schaltkreise, die einen dauerhaften Dauerstrom benötigen
• Wird für das Prototyping mit Durchsteckmontageverfahren verwendet
• Kann für die Prüfung thermischer Belastungen über breite Temperaturen hinweg verwendet werden

Er funktioniert über ein Betriebsfenster von -55 °C bis 150 °C.

Er wird in einem 8-poligen PG-TDSON-Gehäuse geliefert.

Es handelt sich um ein Ein-Transistor-Gerät, das für die diskrete Platzierung in Schaltkreisen vorgesehen ist.

Er erfüllt die Norm IEC 61249-2-21.