Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
273-5240
Herst. Teile-Nr.:
BSC16DN25NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

62,5 W

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

8

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Ausgezeichnete Gate-Ladung

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