Infineon IGBT, 1200 V 630 W, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 284-979
- Herst. Teile-Nr.:
- IGQ75N120S7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-979
- Herst. Teile-Nr.:
- IGQ75N120S7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 630W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 20.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 630W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 20.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGBT wurde für einen effizienten Betrieb bei 1200 V entwickelt und gewährleistet gleichzeitig eine robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen. Mit fortschrittlicher Trench-Technologie eignet sich dieses Gerät hervorragend für den Umgang mit hohen Strompegeln von bis zu 75 A, womit es ideal für industrielle Netzteile und erneuerbare Energiesysteme wie Solarumrichter ist. Das sorgfältige Design sorgt für eine niedrige Sättigungsspannung und eine signifikante dv/dt-Steuerbarkeit, wodurch die Zuverlässigkeit und Effizienz von Stromumwandlungssystemen erhöht wird. Mit einem starken Schwerpunkt auf Haltbarkeit ist dieses IGBT für industrielle Anwendungen gemäß strengen JEDEC-Standards validiert, um sicherzustellen, dass es die strengen Anforderungen der modernen Elektronik erfüllt.
Entwickelt mit Trench-Technologie für Effizienz
Kurzschlussfestigkeit sorgt für zuverlässige Leistung
Breiter Temperaturbereich für vielfältige Anwendungen
Reduzierte Schaltverluste verbessern das Wärmemanagement
Optimiert für den leistungsstarken industriellen Einsatz
Umfassende PSpice-Modelle für einfache Integration
Geringe Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten
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