Infineon IGBT, 1200 V 549 W, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 284-670
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 169,80
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | € 5,66 | € 169,80 |
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- RS Best.-Nr.:
- 284-670
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ75N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 549W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 549W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGBT mit Hochgeschwindigkeits-1200-V-Schacht-Stopp-IGBT 7-Technologie wurde entwickelt, um eine unvergleichliche Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu liefern. Er verfügt über ein state-of-the-art-Design, das eine effiziente Stromverarbeitung mit niedrigen Schaltverlusten kombiniert, was ihn ideal für hocheffiziente Leistungswandler macht. Mit seiner robusten Ko-Verpackung aus einem vollen Nennstrom, einer sanft schaltbaren Rapid-Diode und einer optimierten thermischen Leistung ist dieses Gerät für industrielle und Kfz-Anwendungen einschließlich EV-Lade- und Schweißsysteme zugeschnitten. Mit einer maximalen Anschlusstemperatur von 175 °C sorgt dieses Produkt für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, selbst unter extremen Bedingungen.
Optimiert für hohen Wirkungsgrad bei hartem Schalten
Pb-freie Bleibeschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
Einfache Parallelführung mit positivem Temperaturkoeffizienten
Gut geeignet für industrielle Anwendungen wie UPS und Wechselrichter
Umfassendes Produktspektrum mit Modellierungsunterstützung
Bietet eine niedrige Sättigungsspannung für Energieeinsparungen
Übergangs-Gate-Emitter-Spannungen verbessern die Schaltleistung
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