Infineon IGBT-Modul, 1200 V 130 W

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RS Best.-Nr.:
244-5387
Herst. Teile-Nr.:
FP15R12W1T4BOMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

FP15R12W1T4B

Breite

33.8 mm

Länge

62.8mm

Höhe

12mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

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