Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

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RS Best.-Nr.:
244-5377
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12KT4B11BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

515W

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

62 mm

Länge

122mm

Serie

FP100R12KT4B11

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste

TVJ op = 150 °C

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Hohe Leistung und thermische Schaltleistung

Interner NTC-Temperatursensor

Kupfergrundplatte

Presssitz-Kontakttechnologie

Standardgehäuse

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