Infineon IGBT-Modul, 1200 V 275 W

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5370
Herst. Teile-Nr.:
F475R06W1E3BOMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

275W

Anzahl an Transistoren

4

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, USV-Systeme, induktive Heizungs- und Schweißanwendungen sowie Solaranwendungen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

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