Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 385 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5848
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5848
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Verlustleistung max. | 385 W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 75 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Verlustleistung max. 385 W | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.
Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
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