Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

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RS Best.-Nr.:
244-5854
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12KT4BOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

385W

Anzahl an Transistoren

7

Gehäusegröße

EconoPIM

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

62.5 mm

Länge

122mm

Höhe

17mm

Serie

FP75R12KT4B

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

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