Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul, 1200 V 130 W

Name: Infineon IGBT-Modul, 1200 V 130 W
Brand: Infineon
SKU: 244-5385
Price: 45.31 EUR
Availability: InStock

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 24 Stück)*

€ 906,264

(ohne MwSt.)

€ 1.087,512

(inkl. MwSt.)

Auf Lager

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Schale*
24 - 24	€ 37,761	€ 906,26
48 +	€ 35,873	€ 860,95

*Richtpreis

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	7
	Maximale Verlustleistung Pd	130W
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.25V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	FP15R12W1T4B
	Höhe	12mm
	Länge	62.8mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	33.8 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 7
	Maximale Verlustleistung Pd 130W
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie FP15R12W1T4B
	Höhe 12mm
	Länge 62.8mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 33.8 mm
	Automobilstandard Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

Verwandte Links