- RS Best.-Nr.:
- 838-6995
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B3BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 28 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 130 W |
Gehäusegröße | EASY1B |
Konfiguration | Gemeinsamer Kollektor |
Montage-Typ | PCB-Montage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 23 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
Abmessungen | 48 x 33.8 x 12mm |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |