Infineon IGBT-Modul / 28 A, 1200 V 130 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7399
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 28A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 61.8mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 28A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 61.8mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 15 A. Das Produkt ist eine hervorragende Lösung für frequenzgesteuerte Umrichterantriebe. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Dioden-, NTC- und Press FIT-Kontakttechnologie erhältlich.
Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept
Modulaufbau mit geringer Streuinduktivität
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