Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6633
Herst. Teile-Nr.:
IGW30N65L5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

85A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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