Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 225-0572
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0572
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 65 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 160 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 65 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 160 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung
Geringe elektromagnetische Störungen
Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung
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