Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
225-0571
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N65R6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

65 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Verlustleistung max.

160 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung

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