onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 267 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
185-8671
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL40T65SPD
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

267 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

51mJ

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

1518pF

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
CN
Hauptupgrades im Vergleich zu FGH40T65SPD-F085: Die Kabellänge wird auf 20 mm erhöht, was für die Montage des Systems besser ist. Beim Abschlusstest wird ein dynamischer 3x-Nennstrom-Abschirmungstest durchgeführt, so dass 100 % der Teile beim Schalten unempfindlich gegen Latch-up sind. Schmale DC-Spezifikation für Endprüfung, um eine engere Verteilung von Vce_sat und Vf zu get.

100% des Teils werden dynamisch getestet
Enge Parameterverteilung
Erhöhte transiente Störfestigkeit
Bessere Stromaufteilung bei paralleler Verwendung
Anwendungen
E-Kompressor der Klimaanlage
Integriertes Ladegerät
PTC-Heizung
Motor fährt
Andere Anwendungen für Kraftübertragung in der Automobilindustrie
Endprodukte
EV
HEV/PHEV

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