STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 30 A, 600 V 260 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
860-7450
Herst. Teile-Nr.:
STGW30H60DFB
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Trench-Gate-Field-Stop-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

HB

Breite

5.15 mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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