Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6646
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R5XKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6646
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R5XKSA1
Hersteller:: Infineon

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	282 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 282 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IHW50N65R5XKSA1

Der Infineon Reverse-leitfähige bipolare Transistor mit isoliertem Gate und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

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