Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A, 650 V 282 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6645
Herst. Teile-Nr.:
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Rückwärtsleitender IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

282W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Reverse-leitfähige bipolare Transistor mit isoliertem Gate und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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