Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6112
Herst. Teile-Nr.:
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

85A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

16.3 mm

Länge

41.9mm

Höhe

5.3mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.

QG mit niedriger Gate-Ladung

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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