Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6621
Herst. Teile-Nr.:
AIKW75N60CTXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

428W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

No

Länge

42mm

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und positivem Temperaturkoeffizient in der Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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