Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 150 A, 1200 V 880 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6110
Herst. Teile-Nr.:
IKQ75N120CS6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

150A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

880W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

31ns

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 5 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.

Geringe elektromagnetische Störungen

QG mit niedriger Gatterladung

Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten

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