Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6667
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Höhe

5.21mm

Serie

TrenchStop

Länge

42mm

Breite

16.13 mm

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der 6. Generation von Infineon in der schnellen, weichen Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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