Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 34 A, 600 V 111 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6659
Herst. Teile-Nr.:
IKFW40N60DH3EXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

34A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie mit isoliertem Gate-Bipolartransistor, schnelle und weiche antiparallele Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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