Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
228-6510
Herst. Teile-Nr.:
AIKW50N65RF5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±2 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

AEC-Q101/100

Höhe

5.3mm

Breite

16.3 mm

Länge

41.9mm

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q101

Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.

Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit

Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien

QG mit niedriger Gate-Ladung

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

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