Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
228-6508
Herst. Teile-Nr.:
AIKW50N65RF5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20.0V

Verlustleistung max.

250 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.

Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit
Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien
QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

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