Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6077
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N120R5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.55V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

16.13 mm

Höhe

5.21mm

Serie

Resonant Switching

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

42mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.

Sehr enge Parameter Verteilung

Geringe elektromagnetische Störungen

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